ＣＮＴのＣＶＤ生成用金属微粒子作成

次世代ＬＳＩにおいては、層間で高密度に配線させるために径の揃ったカーボンナノチューブのニーズがあります。

それを化学的気相成長法（ＣＶＤ法）で作る場合、ニッケルなど成長を促す触媒金属を大きさの揃った粒子にする必要があります。

従来は有機溶媒中での化学反応を利用してその粒子を作り、また界面活性剤で保護する必要がありました。

いずれも環境面や効率面からあまり望ましくない方法です。

富士通は、そういった粒子をドライプロセス（真空装置内での製造工程）で得ることに成功しました。

まずレーザーを金属に照射して金属蒸気を発生させ、それをヘリウムガスで冷却して微粒子を生成します。

それを電気炉で結晶化させ、サイズによる電気的な移動度の差を利用して目標の径の微粒子を選別するというものです。

あわせて基板温度を従来の800℃程度から600℃以下に抑えた熱フィラメントＣＶＤ法を開発しました。

これらにより、ほぼ直径が５nmに揃ったカーボンナノチューブの束の作成に成功しています。

ニッケル以外の金属微粒子にも有効ということです。