アルコール原料ナノチューブ

東京大学の丸山茂夫助教授らのグループは、アルコールを原料とするＣＶＤ法による単層カーボンナノチューブ生成に実績をあげています。

従来のアセチレンなどを用いていた方法に比べ、非晶質カーボンや多層カーボンナノチューブなどの不純物が生じにくく、またアルコール内の酸素原子が余分なススと反応するため、従来の800℃以上に比べると低い温度での合成が可能です。

2003年７月には、シリコン基板上に触媒（モリブデン／コバルト）を分散し、アルコールと接触させることで、650℃で、高純度の単層カーボンナノチューブをシリコン基板上に生成させること成功しました。

また2003年10月には、三井物産系のカーボン・ナノテク・リサーチ・インステイチュートが、石英ガラス基板上でも生成させられるようにした上で、この技術による有償サンプルの製造及び出荷を開始しました。

ほかにガラスファイバーや複雑な形状の表面にも、単層カーボンナノチューブを均一に成長させることが可能とのことです。

単層カーボンナノチューブは、導電体にも半導体にもなるナノ材料で、きわめて高速な処理のための大規模集積回路や、さまざまな光デバイスへの応用が期待されています。