ナノ領域のリソグラフィ技術

そろそろ幅１００nm程度という高精細度にまできた半導体パターン。

その基本的な方法（フォトリソグラフィ）は、マスクという石英などの透明板に書かれた回路パターンをウェハー上のレジスト膜に光で正確に写し取り、光が当らなかった部分を洗い流す、というものです。

細かく写し取るには波長が短いほど有利で、ルール幅の２倍程度が求められます。

今のところ波長が約２００nmのフッ化アルゴン・エキシマレーザーを利用しているのですが、今後はこれでも対応できなくなります。

これに対する一つの対策は、さらに短波長のレーザーを使うことです。

例えばフッ素エキシマレーザーの波長は１５０nmくらいですし、さらに短波長のものも、開発レベルではありますが、知られています。

一方で屈折率の違いを利用して水の中で露光させ、波長を実質1.44倍短くするという液浸露光技術というのもあります。

また、Ｘ線リソグラフィや電子線リソグラフィなどエキシマレーザーよりはるかに波長の短い電磁波を使うことも研究されています。

さらには、マスクから光学的に写し取るという方法から脱却し、例えば印刷のように型を押しつけるソフト・リソグラフィや、図32で述べる原子間力顕微鏡の探針（カンチレバー）で直接表面加工を行うディップペン・リソグラフィといったものもあります。

国際半導体技術ロードマップでは、２００７年に６５nm幅、２０１３年には３２nm幅が想定されています。